VBO105-18N07 时间：2025/8/5 20:05:22 阅读：29

VBO105-18N07是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率密度和高效能的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其设计适用于多种工业和消费类电子设备，例如电源供应器、DC/DC转换器和电机控制器等。VBO105-18N07采用了先进的封装技术，确保在高温和高电流条件下依然能够稳定运行。此外，该器件的封装形式通常为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，使其适用于要求较高的应用环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

VBO105-18N07具备多个关键特性，使其成为高性能电源管理应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率并减少了对散热器的需求。其次，该器件支持高栅源电压（±20V），能够在较宽的工作条件下保持稳定性能，同时提供更高的抗干扰能力。VBO105-18N07的工作温度范围为-55°C至+175°C，表明其适用于各种恶劣环境，包括高温和低温条件下的应用。此外，该MOSFET的封装形式（TO-252/DPAK）提供了良好的热管理性能，有助于确保在高电流操作时的可靠性。VBO105-18N07还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗并提高动态响应能力，这对于高频开关应用尤为重要。最后，该器件的耐用性和稳定性使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的常用组件。

应用

VBO105-18N07广泛应用于多种电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、电机控制器以及电池管理系统。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于高效能电源设计，例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器和工业电源模块。此外，该器件还可用于电机控制电路，如无刷直流电机驱动器和电动工具控制器，以实现更高的效率和更长的使用寿命。在汽车电子领域，VBO105-18N07可用于车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统中的电源管理部分。其广泛的适用性和可靠的性能使其成为工程师在设计高可靠性电源系统时的首选器件。