VBO105-08NO7 时间：2025/8/6 7:13:33 阅读：23

VBO105-08NO7 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于需要高电流和高频率操作的应用场合。VBO105-08NO7 的封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（最大值，在Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：140nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散(Pd)：200W（在Tc=25°C）

特性

VBO105-08NO7 是一款高性能的功率MOSFET，采用了先进的TrenchFET技术，使其在高电流和高频率下仍能保持较低的导通电阻和开关损耗。这种技术显著提高了器件的能效和热性能，适合用于高功率密度的设计。该MOSFET的低Rds(on)特性使其在导通状态下具有较低的功耗，从而减少了发热并提高了系统可靠性。此外，该器件的封装形式PowerFLAT 5x6具有优良的散热能力，能够在高电流工作条件下保持稳定。VBO105-08NO7 还具有较高的雪崩能量耐受能力，使其在过载和短路情况下具有更好的鲁棒性。该MOSFET的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的开关损耗。这些特性使VBO105-08NO7成为高性能电源管理和功率转换应用的理想选择。
　　此外，VBO105-08NO7 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，适应广泛的工作温度范围。其封装设计也简化了PCB布局和散热管理，使得该器件在设计中更加灵活和易于使用。对于需要高可靠性和高性能的电源应用，VBO105-08NO7 是一个非常可靠的选择。

应用

VBO105-08NO7 适用于多种高功率电子系统，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关和负载管理电路。该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和电机控制）、太阳能逆变器以及高性能电源供应器。由于其低导通电阻和高效率特性，VBO105-08NO7 特别适合用于需要高电流和高频率操作的应用场合，例如高效能电源转换模块和电机控制电路。