时间：2025/7/22 21:35:34
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VBG15NB22T5SP 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装。这款 MOSFET 专为高效率电源管理应用而设计，具备低导通电阻和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）：15A（连续）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V ~ 4.0V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：62.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252（DPAK）
VBG15NB22T5SP 以其出色的导通性能和热稳定性而著称。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，能够在高温环境下保持稳定的性能。
此外，该 MOSFET 集成了快速恢复二极管，有助于减少开关损耗并提升系统的动态响应能力。其封装设计提供了良好的散热性能，使得器件能够在较高功率条件下稳定运行。
VBG15NB22T5SP 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在非理想工作条件下提供更高的可靠性。这使得它非常适合用于需要高稳定性和高可靠性的工业级电源系统中。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和电源管理单元等场景。其优异的导通特性和热稳定性也使其适用于汽车电子、工业自动化和消费类电子设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDPF15N20, FQA15N20C
