频率范围：10 MHz - 9000 MHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　噪声系数：约 2.5 dB（典型值）
　　输出IP3：约 +35 dBm（典型值）
　　输出P1dB：约 +18 dBm（典型值）
　　电源电压：+12V DC（典型）
　　电流消耗：约 180 mA
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C

VBFZ-3590+ 是一款 GaAs MMIC（单片微波集成电路）低噪声放大器（LNA），具备高增益和宽频带特性，适用于多种射频系统应用。其内部电路采用先进的砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）技术，能够在从10 MHz到9000 MHz的频率范围内提供稳定且低噪声的放大性能。该放大器的典型噪声系数为2.5 dB，使其成为接收机前端和其他对噪声敏感应用的理想选择。此外，该器件具备良好的线性性能，输出三阶交调截距（IP3）高达+35 dBm，输出1dB压缩点（P1dB）约为+18 dBm，能够处理中等功率的射频信号而不产生显著失真。VBFZ-3590+ 的典型增益为18 dB，增益平坦度在宽频带范围内表现优异，确保了不同频率下信号放大的一致性。该器件采用表面贴装封装（SMT），便于自动化装配和集成于紧凑的射频电路板中，适用于工业、科学和通信设备中的多种高频应用场景。其工作温度范围为-55°C至+105°C，具有良好的温度稳定性和可靠性，适用于各种严苛环境条件。

VBFZ-3590+ 广泛应用于射频和微波通信系统、无线基础设施、测试与测量设备、频谱分析仪、接收机前端、宽带放大器、军用和航空航天电子系统、以及需要高增益、低噪声和宽带放大的各种射频模块中。其出色的性能使其特别适合于用于信号链的前级放大器，确保微弱信号的有效增强并维持高信噪比。
　　在测试设备中，该放大器可用于提高测量系统的灵敏度和动态范围；在通信系统中，常用于中继器、基站和终端设备中的射频信号增强；在雷达和监测系统中，用于提高接收机的灵敏度和探测能力；在工业控制和传感器网络中，也可用于远距离无线信号的增强和传输。
　　

VBFZ-3580+, VBFZ-3680+, ZX60-183+, ERA-8SM+