时间：2025/6/20 18:51:53
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HH18N0R9D500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，支持高电流负载，广泛适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等多种场景。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：500A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：4250pF
反向传输电容：220pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
HH18N0R9D500CT具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（1.8mΩ），从而减少了导通损耗，提升了整体效率。
2. 快速的开关速度，栅极电荷仅为36nC，适合高频应用。
3. 高额定电流（500A），使其能够在大电流条件下稳定运行。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种恶劣环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
HH18N0R9D500CT适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动车辆及混合动力车辆中的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换系统。
5. 高性能音频放大器和其他需要大电流输出的电路。
IRFP2907, FDP50N09E, STP50NF09
