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VB40100C-E3/4W 发布时间 时间:2025/5/20 15:52:04 查看 阅读:4

VB40100C-E3/4W 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 Vishay 公司生产的 Siliconix 系列产品。该器件采用逻辑电平驱动设计,适用于低电压应用场合,具有较低的导通电阻和快速开关特性。其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够提供出色的散热性能,广泛用于开关电源、电机驱动、负载切换等电路中。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  栅极电荷:78nC
  总电容:1050pF
  功耗:160W

特性

VB40100C-E3/4W 具有非常低的导通电阻,能够在高电流条件下有效降低功率损耗。
  其逻辑电平驱动设计使其可以与 3.3V 或 5V 的控制信号直接兼容,简化了电路设计。
  器件的快速开关速度有助于减少开关损耗,提高整体效率。
  TO-252 封装形式提供了良好的热性能,确保在高功率应用中的稳定性。
  此外,该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力,增强了系统的可靠性。

应用

开关电源中的功率级开关
  直流电机驱动及控制
  负载切换及保护电路
  电池管理系统中的功率开关
  工业自动化设备中的功率转换

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VB40100C-E3/4W产品

VB40100C-E3/4W参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类肖特基(二极管与整流器)
  • 产品Schottky Rectifiers
  • 峰值反向电压100 V
  • 正向连续电流20 A
  • 最大浪涌电流250 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向电压下降0.73 V at 20 A
  • 最大反向漏泄电流1000 uA
  • 工作温度范围- 40 C to + 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK (TO-263AB)
  • 封装Tube
  • 工厂包装数量1000