时间：2025/7/5 17:58:52
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BSC112N06LD 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。
该器件的工作电压为 60V，能够满足大多数低压应用的需求，同时其封装形式为 DPAK（TO-252），有助于提高散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：开启延迟时间 29ns，关断延迟时间 18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK（TO-252）
BSC112N06LD 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 1.2mΩ，从而降低了传导损耗并提高了整体效率。
2. 快速的开关速度，减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 高额定电流能力，最大连续漏极电流可达 48A，支持大功率负载。
4. 先进的沟槽技术，提升了器件的可靠性和耐用性。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），使其能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子设备设计需求。
BSC112N06LD 可用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率转换器件。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
4. 工业自动化控制中的功率调节模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 电动工具及家电产品的功率管理部分。
BSC112N06LS G, IRFZ44N, FDP18N06L
