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BSC112N06LD 发布时间 时间:2025/7/5 17:58:52 查看 阅读:73

BSC112N06LD 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。
  该器件的工作电压为 60V,能够满足大多数低压应用的需求,同时其封装形式为 DPAK(TO-252),有助于提高散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关时间:开启延迟时间 29ns,关断延迟时间 18ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:DPAK(TO-252)

特性

BSC112N06LD 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 1.2mΩ,从而降低了传导损耗并提高了整体效率。
  2. 快速的开关速度,减少了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高额定电流能力,最大连续漏极电流可达 48A,支持大功率负载。
  4. 先进的沟槽技术,提升了器件的可靠性和耐用性。
  5. 广泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),使其能够在极端环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设备设计需求。

应用

BSC112N06LD 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心功率转换器件。
  3. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
  4. 工业自动化控制中的功率调节模块。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  6. 电动工具及家电产品的功率管理部分。

替代型号

BSC112N06LS G, IRFZ44N, FDP18N06L

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