型号: VAM-77+
　　频率范围: 2 GHz - 18 GHz
　　插入损耗: 典型值 0.8 dB（耦合端口到输出端口）
　　幅度平衡: ±0.5 dB
　　相位平衡: ±5°
　　耦合系数: 3 dB
　　隔离度: 最小 15 dB
　　驻波比（VSWR）: 输入/输出端口 ≤ 1.5:1
　　封装类型: 表面贴装（SMT）
　　工作温度范围: -55°C 至 +125°C

VAM-77+ 耦合器具备优异的高频性能和稳定性，适用于高要求的射频系统。其3 dB耦合系数意味着输入信号被均等地分成两路输出，适用于正交调制器、功率合成器和测试测量设备中的信号分配任务。
　　这款器件在制造上采用了先进的薄膜工艺，确保了良好的幅度和相位匹配特性，这对I/Q调制解调、MIMO系统和相控阵天线等应用至关重要。
　　由于其宽频带设计，VAM-77+ 可在多个通信频段内使用，包括蜂窝通信（如5G）、微波回传、测试设备和雷达系统等。此外，其表面贴装封装形式不仅节省空间，而且简化了PCB布局和装配流程。
　　该耦合器还具备良好的温度稳定性和机械可靠性，能在严苛环境下保持性能稳定，适合工业级和军用级应用需求。

VAM-77+ 主要应用于需要高精度信号分配和合成的射频系统中，包括无线通信基础设施（如基站和5G设备）、测试与测量仪器（如频谱分析仪和信号发生器）、雷达系统、卫星通信、相控阵天线以及I/Q调制解调器等。
　　在测试设备中，VAM-77+ 可用于构建高精度的信号分配网络，确保多路信号之间的幅度和相位一致性；在相控阵天线系统中，它可用于实现波束成形网络中的信号分配；在无线基础设施中，可用于功率放大器的合成与分配，提高系统效率和可靠性。
　　此外，VAM-77+ 还可用于构建高精度的射频传感器网络和分布式天线系统，满足现代通信系统对高性能无源组件的需求。

HMC671LC4B, ADL5501, VAM-77HL+, VAM-77LS+