VA1T1ED6058 时间：2025/8/27 16:30:31 阅读：9

VA1T1ED6058 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高频率的功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统等领域。其封装形式为 TSMT6（Trench MOSFET 6-Pin Super Mini Mold），便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：1.5A
　　最大漏极-源极电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=4.5V
　　导通阈值电压：1.5V ~ 2.5V
　　封装类型：TSMT6
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

VA1T1ED6058 的核心优势在于其低导通电阻和优异的热管理能力。低 Rds(on) 使得该器件在高电流应用中能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，其采用的沟槽栅极技术进一步优化了器件的开关性能，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。该器件的封装形式 TSMT6 不仅体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用，还具备良好的散热能力，确保在高功率负载下稳定运行。
　　此外，VA1T1ED6058 具备较强的抗静电能力和较高的可靠性，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 1.8V 至 8V），便于与不同类型的控制电路（如微控制器或 PWM 控制器）配合使用。该器件的温度稳定性良好，即使在高温环境下也能保持较低的导通电阻漂移，确保系统的长期可靠性。
　　由于其优异的性能，VA1T1ED6058 常用于便携式电子产品、小型电源模块、LED 照明驱动、电池管理系统（BMS）以及各种低电压功率转换电路中。

应用

VA1T1ED6058 广泛应用于各种需要高效能功率管理的电子设备中，包括但不限于：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）中的电源管理模块；DC-DC 转换器和升压/降压电路；LED 照明系统的恒流驱动电路；电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路；以及小型电机驱动器和负载开关控制电路。由于其封装小巧、导通电阻低，特别适合用于空间受限但对效率要求较高的应用场景。