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VA100005D150 发布时间 时间:2025/6/4 0:27:28 查看 阅读:5

VA100005D150是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等场景。
  VA100005D150属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式通常为TO-220或SMD类型,具体取决于制造商的规格。它在功率转换和负载切换方面表现出色,能够承受较高的电流和电压,同时保持较低的能耗。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

VA100005D150的主要特点是其超低导通电阻(Rds(on)),仅为1.5mΩ,这使得它在高电流应用中能显著减少传导损耗。
  此外,它的快速开关性能由低栅极电荷决定,可提高整体系统效率并降低电磁干扰(EMI)。
  该器件还具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的电气特性。
  VA100005D150的耐压能力高达150V,能够应对大多数工业级和消费级应用场景的需求。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 太阳能逆变器
  5. 汽车电子系统中的负载开关
  6. 工业自动化控制中的功率调节模块
  VA100005D150因其高效和可靠的表现,成为这些领域的理想选择。

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