V940ME05 时间：2025/12/28 10:41:48 阅读：14

V940ME05是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及高效率开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性等优点，适合在高密度、高效率的电子设备中使用。V940ME05属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式通常为SOP-8或类似的小型表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。该器件的工作结温范围较宽，一般可达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，V940ME05具备优良的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。作为一款中压MOSFET，它在40V的漏源电压下表现出优异的性能，特别适合用于同步整流、负载开关和电池供电系统的控制电路中。

参数

型号：V940ME05
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：9.4A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：37.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.0mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：2200pF（@VDS=20V）
　　输出电容（Coss）：650pF（@VDS=20V）
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（Power SOP）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

V940ME05具备多项先进特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其极低的导通电阻RDS(on)显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率，尤其在大电流应用场景中优势明显。例如，在同步降压转换器中，低RDS(on)可减少发热，提高系统能效，从而延长设备使用寿命。其次，该器件采用了ROHM专有的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，实现了更高的单位面积电流密度，同时保持良好的热分布特性。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。V940ME05具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得其在高频开关应用中能够快速响应，减少开关延迟和能量损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器至关重要，可以有效缩小外围元件如电感和电容的尺寸，实现更高功率密度的设计。
　　此外，该MOSFET内置了高效的散热机制，通过底部导热片将热量传导至PCB，增强了热稳定性。其SOP-8 Power封装不仅支持自动化贴片生产，还具备较强的机械强度和长期可靠性。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规认证，适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动和电机控制模块。
　　最后，V940ME05具备良好的抗雪崩能力和ESD保护，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持稳定运行，避免因电压尖峰导致的器件损坏。这些综合特性使其成为工业电源、通信设备、消费类电子产品及汽车电子领域中的理想选择。

应用

V940ME05广泛应用于多种高性能电子系统中。在电源管理领域，常用于同步整流式DC-DC降压变换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下管使用，提供高效稳定的电压输出，适用于服务器、笔记本电脑和GPU供电系统。此外，该器件也适用于便携式设备的电池管理系统，如智能手机、平板电脑中的负载开关和电源路径控制，凭借其低静态功耗和快速响应能力，有效延长电池续航时间。
　　在电机驱动方面，V940ME05可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，其低导通电阻减少了发热，提高了驱动效率。由于具备良好的热稳定性和过载承受能力，该器件同样适用于工业自动化设备中的继电器替代或固态开关应用。
　　在汽车电子领域，V940ME05被广泛用于车载信息娱乐系统电源、LED前大灯驱动、电动座椅和车窗升降控制电路中。其通过AEC-Q101认证，确保在高温、振动和电磁干扰等复杂环境下仍能可靠运行。此外，该器件还可用于USB PD快充适配器、无线充电板等高密度电源设计中，满足对小型化和高效率的双重需求。