型号：V805ME03-LF
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：800mA（0.8A）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：12.5A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：470mV @ 200mA，550mV @ 400mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 25°C，30V；1000μA @ 125°C，30V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W（典型值）
　　热阻抗（RθJL）：175°C/W（典型值）
　　热阻抗（RθJC）：90°C/W（典型值）
　　引脚数：2
　　无铅状态：符合RoHS，无铅且无卤素

V805ME03-LF的核心优势在于其卓越的电学性能与小型化封装的结合。该器件采用肖特基势垒技术，利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而显著降低了正向导通电压，通常在200mA电流下仅为470mV左右。这一低VF特性直接提升了电源转换效率，减少了能量损耗和发热，在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。同时，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度极快，反向恢复时间几乎可以忽略不计。这种快速响应能力使其在高频开关电源（如同步整流DC-DC变换器）中表现出色，能有效减少开关瞬态损耗，提升系统整体效率。
　　V805ME03-LF的SOD-123FL封装尺寸极为紧凑，典型尺寸约为2.1mm x 1.3mm x 1.0mm，适合高度集成的便携式电子产品。尽管体积小，但其热设计仍经过优化，通过减小引线框架的热阻路径，提升了散热能力，确保在800mA持续电流负载下仍能稳定运行。此外，该器件具有较低的反向漏电流，在常温下仅为100μA，即使在高温环境下（125°C）也控制在1mA以内，保证了在待机或轻载状态下的低功耗表现。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在严苛的工业环境或高温密闭空间中可靠工作。所有材料均符合RoHS指令，且不含溴或氯等卤素元素，符合绿色电子产品的环保要求，便于在全球范围内推广应用。

V805ME03-LF适用于多种需要高效、快速整流的电子电路。典型应用包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器，例如智能手机、可穿戴设备和移动电源中的同步整流或续流二极管。在电源管理单元（PMU）中，它可用于防止反向电流流动，实现电源路径控制和电池反接保护。该器件也常用于AC-DC适配器的次级侧整流电路，特别是在空间受限的小功率适配器中，其小型封装和高效率极具优势。在工业控制系统中，V805ME03-LF可用于继电器驱动电路中的反电动势箝位，保护开关晶体管免受电压尖峰损坏。此外，它还适用于LED照明驱动电路、USB充电端口的电源保护、无线充电模块的整流环节以及各种嵌入式微控制器系统的电源轨隔离。得益于其高可靠性与稳定性，该二极管也被广泛用于汽车电子中的低功率辅助电源系统，如车载信息娱乐设备或传感器供电模块。

MBR0830T1G
　　RB08030E0QFM
　　SS13-F