时间：2025/8/9 7:53:47
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2SK1217-01R 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统等应用。该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：60V
最大漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(ON)）：≤ 0.033Ω @ VGS = 10V
栅极电压范围：-20V ~ +20V
最大耗散功率（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AB
2SK1217-01R MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，提供了较低的导通电阻和较高的电流承载能力。这种设计有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的dv/dt耐受能力，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于各种工业环境。其高耐压特性也使得它在电源转换器、负载开关和电机驱动等应用中具有广泛的适用性。同时，2SK1217-01R的栅极驱动电压范围较宽（-20V至+20V），允许使用标准的10V或12V驱动电路，便于与各种控制器或驱动IC配合使用。
在可靠性方面，该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下长时间稳定运行。此外，其内置的寄生二极管可提供反向电流保护，适用于需要频繁开关的场合。
2SK1217-01R 主要应用于以下领域：高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、负载开关控制、LED照明驱动、电源管理模块、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高效率的特性，使其在便携式电子设备和高能效电源系统中尤为适用。
2SK2545, 2SK3018, IRFZ44N, FDPF4N60
