时间：2025/5/30 19:33:44
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V7R0D0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 TO-247，适合高电流应用场合。
型号：V7R0D0201C0G500NAT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700 V
最大栅源电压(Vgs)：±20 V
连续漏极电流(Id)：38 A
脉冲漏极电流(Ip)：160 A
导通电阻(Rds(on))：4.5 mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：165 nC
输入电容(Ciss)：4800 pF
输出电容(Coss)：135 pF
反向恢复时间(trr)：95 ns
工作结温范围(Tj)：-55°C to 175°C
V7R0D0201C0G500NAT 具有低导通电阻和低栅极电荷，能够有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体效率。
其高雪崩能力和鲁棒性设计确保了在严苛环境下的可靠性。
同时，该芯片支持高频开关操作，并且具备快速的反向恢复时间，适用于多种电力转换场景。
此外，TO-247 封装提供了良好的散热性能，便于系统集成。
这款 MOSFET 在动态和静态条件下均表现出优异的性能，是工业级和消费级应用的理想选择。
V7R0D0201C0G500NAT 广泛用于需要高效功率转换的应用中，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)
- 逆变器和不间断电源(UPS)
- 电机驱动和控制
- DC-DC 转换器
- 太阳能微逆变器
- 工业自动化设备
- 电动工具和其他大功率便携式设备
V7R0D0201C0G300NAQ, IRFP260N, FDP17N65C
