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V7R0D0201C0G500NAT 发布时间 时间:2025/5/30 19:33:44 查看 阅读:7

V7R0D0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 TO-247,适合高电流应用场合。

参数

型号:V7R0D0201C0G500NAT
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):700 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):38 A
  脉冲漏极电流(Ip):160 A
  导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):165 nC
  输入电容(Ciss):4800 pF
  输出电容(Coss):135 pF
  反向恢复时间(trr):95 ns
  工作结温范围(Tj):-55°C to 175°C

特性

V7R0D0201C0G500NAT 具有低导通电阻和低栅极电荷,能够有效降低传导损耗和开关损耗,从而提升整体效率。
  其高雪崩能力和鲁棒性设计确保了在严苛环境下的可靠性。
  同时,该芯片支持高频开关操作,并且具备快速的反向恢复时间,适用于多种电力转换场景。
  此外,TO-247 封装提供了良好的散热性能,便于系统集成。
  这款 MOSFET 在动态和静态条件下均表现出优异的性能,是工业级和消费级应用的理想选择。

应用

V7R0D0201C0G500NAT 广泛用于需要高效功率转换的应用中,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 逆变器和不间断电源(UPS)
  - 电机驱动和控制
  - DC-DC 转换器
  - 太阳能微逆变器
  - 工业自动化设备
  - 电动工具和其他大功率便携式设备

替代型号

V7R0D0201C0G300NAQ, IRFP260N, FDP17N65C

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