V637ME02-LF 时间：2025/12/28 13:14:48 阅读：16

V637ME02-LF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种高频率和高功率的应用环境。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：7.8A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：2.8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散：3W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

V637ME02-LF 具有极低的导通电阻（Rds(on)），使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著提升了导通性能和热稳定性。此外，其 PowerPAK SO-8 封装设计不仅减小了 PCB 占用空间，还提供了优异的散热能力，使器件能够在高功率密度环境下稳定工作。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），兼容多种驱动电路设计，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。此外，其最大漏极电流可达 7.8A，适用于中高功率级别的开关操作。
　　在热管理方面，V637ME02-LF 表现出色，具有较高的热阻（RθJA）性能，确保在高温环境下仍能可靠运行。器件的封装设计也避免了常见的焊接缺陷问题，提升了生产良率和长期可靠性。