时间：2025/7/10 18:11:54
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CBR02C189B9GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件，专为高效率和高频开关应用而设计。该芯片采用先进的碳化硅技术，具有更低的导通电阻、更高的开关速度以及更优异的热性能，适用于各种工业电源、新能源汽车、光伏逆变器以及其他高功率密度场景。
该型号属于 Cree/Wolfspeed 系列产品（现为安森美旗下品牌），并采用了行业领先的封装形式以优化散热性能与电气特性。
额定电压：1200V
额定电流：30A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：120nC
反向恢复时间：5ns
最大工作结温：175℃
封装类型：TO-247-4L
CBR02C189B9GAC 具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻（1.8mΩ能量转换，减少功率损耗。
2. 快速开关能力（反向恢复时间为 5ns），使其非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器或 PFC 电路。
3. 高耐压等级（1200V）允许其直接应用于高压系统中，例如电动汽车驱动逆变器和储能设备。
4. 支持高达 175℃ 的工作结温，从而增强了系统的可靠性和适应恶劣环境的能力。
5. 采用 TO-247-4L 封装，提供更好的散热性能和电气隔离功能，同时简化了 PCB 设计布局。
CBR02C189B9GAC 广泛应用于需要高效率和高功率密度的领域：
1. 工业电源模块，如不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
2. 新能源汽车中的牵引逆变器和车载充电器。
3. 光伏逆变器及风力发电系统中的功率变换部分。
4. 高频 DC-DC 转换器和功率因数校正 (PFC) 电路。
5. 充电站和快速充电桩等基础设施建设。
CMF20120D
CTH6080KQ
STG20HP12WD
