V580ME03-LF 时间：2025/12/28 13:09:27 阅读：10

V580ME03-LF 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的导通性能和低开关损耗。适用于各种电源管理和 DC-DC 转换器应用。

参数

类型：N 沟道
　　最大漏源电压 (VDS)：30V
　　最大漏极电流 (ID)：120A（连续）
　　导通电阻 (RDS(on))：5.8mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷 (Qg)：60nC
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双片

特性

V580ME03-LF 采用 Vishay 的沟槽技术，提供极低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了效率。其高电流处理能力和低 RDS(on) 特性使其非常适合用于高频 DC-DC 转换器和同步整流应用。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　V580ME03-LF 的封装形式为 PowerPAK SO-8 双片结构，提供了更小的 PCB 占用空间，同时具备良好的散热性能。这种封装设计使其适用于空间受限但需要高性能的应用场合。此外，该器件符合 RoHS 标准，并具有无卤素环保特性，适用于环保要求较高的电子产品设计。
　　该 MOSFET 在高温环境下的稳定性良好，具有较强的抗热失效能力，能够在持续高电流条件下可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的 VGS 操作，兼容多种驱动电路设计，适用于多种控制方案。