类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　齐纳电压：56V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：1W
　　测试电流：1mA
　　最大反向漏电流：5μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DO-41
　　引脚数：2

V56ZA8齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的齐纳击穿电压，标称为56V，在标准测试条件下能够提供可靠的电压参考。该电压值位于齐纳二极管中较高的范围，特别适用于高压稳压需求的应用场景。其电压容差为±5%，确保在批量生产中仍能保持较好的一致性，便于电路设计中的参数计算与匹配。更重要的是，56V附近的齐纳电压恰好处于硅基齐纳二极管温度系数趋近于零的“最佳点”附近，这使得V56ZA8在环境温度变化较大的情况下仍能保持出色的电压稳定性，避免了因温漂引起的输出波动，提升了整个系统的可靠性。
　　该器件的最大功率耗散能力为1W，意味着在正确散热和限流条件下，可以承受一定的持续反向电流而不发生热击穿。这一功率等级适合大多数中小功率电子设备中的稳压需求，既不过于保守也不至于难以管理热量。其测试电流设定为1mA，表明在此电流下可准确测量其标称齐纳电压，同时也暗示了其可在微安至数十毫安的宽电流范围内有效工作，适应不同负载条件下的稳压任务。低动态阻抗是另一个关键优势，它反映了器件在击穿状态下对电流变化的响应能力——阻抗越低，输出电压越稳定。V56ZA8在这方面表现优异，能够在输入电压或负载快速变化时迅速调整，维持输出端电压的平稳。
　　从结构上看，V56ZA8采用DO-41封装，这是一种标准化的轴向玻璃封装形式，具备良好的机械强度和电气绝缘性能。该封装支持通孔安装，便于手工焊接和维修，广泛用于原型开发和工业控制板中。其双引脚设计简化了电路布局，降低了布线复杂度。此外，器件的工作温度范围覆盖-55°C到+150°C，满足军用级和工业级应用的严苛要求，适用于高温环境如电源模块内部、汽车电子系统或户外通信设备。低反向漏电流（最大5μA）保证了在未达到击穿电压前几乎无电流通过，提高了系统的能效和安全性。综合来看，V56ZA8以其高稳定性、宽工作温度范围和优良的电气特性，成为高压稳压应用中值得信赖的基础元件。

V56ZA8齐纳二极管广泛应用于多种电子电路中，主要功能包括电压基准、过压保护、电源稳压和信号电平箝位。在模拟电路中，它常被用作精密电压参考源，尤其是在运算放大器偏置电路或ADC/DAC参考电压生成中，利用其低温度系数和高稳定性的特点，提供可靠的56V基准电平。在直流电源系统中，V56ZA8可用于构建简单的并联稳压电路，配合限流电阻为后级负载提供稳定的电压输出，适用于小功率设备如传感器供电、逻辑电路偏置等场景。由于其额定功率为1W，适合处理瞬态浪涌或轻载情况下的稳压任务，尽管不适用于大电流输出需求，但在成本敏感型设计中仍具优势。
　　在过压保护方面，V56ZA8可作为箝位二极管连接在敏感器件两端，当线路电压异常升高超过56V时，二极管导通并将多余能量泄放到地，从而保护后续电路免受高压损伤。这种应用常见于通信接口、工业I/O模块和电源输入端的防护电路中。此外，在高压测试设备或脉冲发生器中，V56ZA8也可用于设定触发电平或限制峰值电压，确保系统运行在安全范围内。在一些老式电视机或显示器的行扫描电路中，此类高压齐纳管还曾用于反馈电压采样和稳压控制。由于其具备良好的长期可靠性和耐温性能，V56ZA8也适用于汽车电子、航空航天和工业自动化等对元器件稳定性要求较高的领域。总之，该器件凭借其成熟的工艺和稳定的性能，在现代电子系统中依然占据重要地位。

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　　BZX85C56
　　M1Z56D