时间：2025/8/21 6:13:56
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V54C3128164VAT7 是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产。该芯片属于高速异步SRAM系列，具有高性能和低功耗的特点，适用于需要快速数据存取的应用场景，如网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等。
型号: V54C3128164VAT7
存储容量: 128K x 16 位
电源电压: 3.3V
访问时间: 7ns
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
封装类型: 100-TQFP
接口类型: 异步
数据宽度: 16位
最大工作频率: 143MHz
输入/输出电平: CMOS
V54C3128164VAT7 是一款高性能的异步SRAM，采用了先进的CMOS技术，具有高速访问时间和低功耗的特点。其7ns的访问时间使得该芯片能够在高速数据处理环境中提供稳定的性能。此外，该芯片支持143MHz的工作频率，能够满足对数据存取速度有较高要求的应用场景。
该芯片的128K x 16位的存储结构使其具备较大的数据存储能力，适用于需要大容量数据缓存的设计。V54C3128164VAT7的电源电压为3.3V，兼容现代数字系统的供电标准，降低了功耗并提高了能效。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，确保在恶劣条件下仍能稳定运行。
V54C3128164VAT7 主要应用于需要高速数据存储和快速访问的场合，例如路由器和交换机的数据缓存、通信设备中的临时存储、工业控制系统的数据缓冲、嵌入式系统的程序和数据存储等。由于其工业级温度范围和高可靠性，它也常用于自动化控制、测试设备和高精度测量仪器中。
IS61LV12816-8T, CY7C1380B-10Z, IDT71V416S10PFG
