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IRLTS2242TRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 1:03:27 查看 阅读:6

IRLTS2242TRPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TOLL封装形式。该器件专为高频和高效率应用设计,具有极低的导通电阻(Rds(on))和栅极电荷(Qg),适用于服务器、通信电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及其他要求高效能开关性能的应用场景。
  这款MOSFET在电气性能和热管理方面表现出色,能够支持较高的电流负载,并且具备出色的散热能力。其先进的封装技术使其非常适合空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:378A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:99nC
  总电容:3250pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRLTS2242TRPBF的主要特点是低导通电阻和低栅极电荷,这使得它在高频开关应用中表现优异。此外,TOLL封装提供更好的散热性能和电气连接,有助于提高整体系统的可靠性和效率。
  该器件还具有较低的反向恢复电荷(Qrr),从而减少了开关损耗并提升了系统效率。
  由于采用了铜夹片工艺,IRLTS2242TRPBF具备更小的寄生电感和更高的电流承载能力,适合要求苛刻的大功率应用。
  其工作温度范围宽广,从-55℃到175℃,适应多种极端环境下的操作需求。

应用

IRLTS2242TRPBF广泛应用于需要高效能功率开关的领域,例如:
  1. 高功率密度DC-DC转换器
  2. 数据中心和电信设备中的电源模块
  3. 太阳能逆变器中的功率级
  4. 电动车辆充电系统
  5. 工业电机驱动和控制
  6. 各类大功率开关模式电源(SMPS)
  这些应用都需要快速开关速度、低功耗以及可靠的长期运行,而IRLTS2242TRPBF正好满足这些要求。

替代型号

IRLB8749PBF, CSD19536KCS

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IRLTS2242TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫欧 @ 6.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds905pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLTS2242TRPBFTR