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VEMT2520X01 发布时间 时间:2023/8/21 17:41:06 查看 阅读:392

制造商:Vishay

目录

概述

制造商:Vishay
RoHS:是
最大功率耗散:100mW
封装/箱体:GullWing
集电极—发射极最大电压VCEO:20V
集电极—射极击穿电压:20V
集电极—射极饱和电压:0.4V
最大工作温度:+100C
最小工作温度:-40C
封装:Reel
产品:Phototransistor
类型:Phototransistor
波长:850nm

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VEMT2520X01参数

  • 制造商Vishay
  • 最大功率耗散100 mW
  • 封装 / 箱体Gull Wing
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO20 V
  • 集电极—射极饱和电压0.4 V
  • 最大工作温度+ 100 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Reel
  • 产品Phototransistor
  • 类型Phototransistor
  • 波长850 nm