时间：2025/12/26 22:04:38
阅读：20
V48MLA1210NH是一款由Vishay Semiconductors生产的高电压、高可靠性多层压敏电阻（MLV），专为在严苛环境中提供瞬态电压抑制和过压保护而设计。该器件采用紧凑的表面贴装封装，尺寸为1210（3225公制），适用于空间受限的电路板布局。V48MLA1210NH主要应用于直流和交流电源线路、通信接口、消费电子、工业控制系统以及汽车电子中，用于吸收静电放电（ESD）、雷击感应脉冲和其他瞬态过电压事件，防止敏感半导体器件因电压浪涌而损坏。
V48MLA1210NH基于锌氧化物（ZnO）陶瓷材料制成，具有非线性电压-电流特性，即在正常工作电压下呈现高阻抗状态，几乎不消耗电流；当施加电压超过其阈值时，电阻迅速下降，将过电压能量泄放到地，从而钳位电压至安全水平。该器件具备优异的循环耐久性和能量吸收能力，能够在多次瞬态事件后仍保持性能稳定。此外，V48MLA1210NH符合RoHS指令，并通过了AEC-Q200认证，适合在汽车级应用中使用，确保在极端温度和机械应力下的长期可靠性。
产品系列：V48MLA
器件类型：多层压敏电阻（MLV）
封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
最大工作电压：48VDC
标称压敏电压（V1mA）：67V ±10%
钳位电压（典型值）：100V @ 1A
峰值脉冲电流（8/20μs）：100A
最大能量吸收能力：1.5J
电容值（典型值）：1kHz下约1500pF
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
端接类型：镍/锡镀层，兼容SMT焊接工艺
V48MLA1210NH具备出色的瞬态抑制能力和快速响应时间，通常在纳秒级内即可对过电压事件做出反应，有效保护下游电路不受损害。其内部结构由多个ZnO晶粒层叠构成，形成高度非线性的I-V特性曲线，使得在低电压下漏电流极小（通常小于1μA），而在高压冲击下能迅速导通并泄放大电流。这种特性使其特别适用于需要频繁承受ESD冲击的应用场景，例如USB端口、以太网接口或传感器信号线。
该器件具有良好的热稳定性，在经历多次浪涌冲击后不会出现明显的参数漂移或老化现象。其坚固的陶瓷结构能够抵御热循环、振动和湿度等环境应力，确保在恶劣工业或车载环境中长期可靠运行。此外，V48MLA1210NH的表面贴装设计便于自动化生产装配，提高了制造效率和一致性。相比传统TVS二极管，MLV技术在某些应用中可提供更高的能量密度和更宽的电压范围选择，同时避免了PN结可能存在的反向恢复问题。
另一个显著优势是其双向对称保护能力，无需考虑极性连接，适用于交流信号线路或双向数据总线的保护。器件还具备自恢复特性，在瞬态事件结束后自动恢复到高阻态，无需人工干预或更换。综合来看，V48MLA1210NH在小型化、高性能和高可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子系统中理想的过压防护元件之一。
V48MLA1210NH广泛用于各类需要瞬态电压保护的电子设备中。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的USB、HDMI及其他高速接口的ESD防护，防止用户操作过程中产生的静电损坏内部IC。在通信设备领域，可用于以太网端口、RS-485、CAN总线等差分信号线的浪涌抑制，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
在工业自动化系统中，该器件被部署于PLC输入输出模块、传感器接口和电源监控单元，抵御工厂环境中常见的电感负载开关引起的电压尖峰。汽车电子方面，由于通过AEC-Q200认证，V48MLA1210NH适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电线路等，提供对12V或24V车载电源网络中的瞬态干扰保护。此外，在电源适配器、开关电源次级侧、电池管理系统（BMS）中也可作为辅助过压保护元件使用，增强整体系统的安全性和鲁棒性。
V48MLA1210NT
V275LA1210H
V275LA1210HT
