LT4363 是一款由凌力尔特(Linear Technology,现为ADI的一部分)设计的高压、大电流理想二极管控制器。该芯片能够驱动一个N沟道MOSFET,从而实现比传统肖特基二极管更高效的电源通路管理。通过动态调节MOSFET的栅极电压,LT4363可以在负载电流变化时提供低导通电阻和低功耗的解决方案。
LT4363HMS-2 是其采用8引脚MSOP封装的一个具体版本,适用于需要紧凑设计的应用场合。
工作电压范围:4V 至 60V
最大输入电压:76V
静态电流:典型值15μA
关断电流:典型值1μA
逻辑输入电压范围:2.9V 至 60V
MOSFET栅极驱动电压:最高可达58V
工作温度范围:-40°C 至 125°C
封装形式:8引脚 MSOP
LT4363HMS-2 提供了高效率的理想二极管功能,通过使用外部N沟道MOSFET代替传统的肖特基二极管,显著降低了导通损耗。它具有以下关键特性:
- 支持高达60V的工作电压,适合汽车和工业应用中的高电压环境。
- 集成快速反向恢复保护功能,确保在反向电流条件下不会损坏MOSFET。
- 内置欠压锁定功能,防止在过低输入电压下工作。
- 极低的静态电流,非常适合电池供电系统以延长续航时间。
- 提供可选的逻辑控制输入,允许用户根据外部信号灵活启用或禁用理想二极管功能。
- 具备热关断保护,增强系统可靠性。
- 小型8引脚MSOP封装,简化PCB布局并节省空间。
LT4363HMS-2 广泛应用于需要高效电源路径管理的场景,包括但不限于以下领域:
- 汽车电子系统,例如备用电池切换、发电机负载突降保护等。
- 工业设备中的冗余电源切换。
- 便携式设备中的电池管理和充电通路控制。
- 太阳能电池板的最大功率点跟踪(MPPT)电路。
- 任何需要替代肖特基二极管以降低功耗的设计。
LT4363EMS-2, LT4363IMSM-2