时间：2025/5/28 11:52:04
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V3R6B0201HQC500NAT 是一款由 Vishay 生产的高压 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型、高效率应用场景设计，具有较低的导通电阻和优化的开关性能，广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。
其封装形式为 TO-247-3，支持表面贴装和插件安装，适合需要高功率密度的设计方案。
最大漏源电压：650V
栅极电荷（典型值）：80nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
V3R6B0201HQC500NAT 的主要特性包括：
1. 高压操作能力，支持高达 650V 的漏源电压，适用于严苛环境下的应用。
2. 极低的导通电阻 (2.0mΩ)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为 80nC，能够有效减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. 高电流承载能力 (50A)，满足大功率应用需求。
6. 封装形式为 TO-247-3，具备良好的散热性能和机械稳定性。
这些特性使 V3R6B0201HQC500NAT 成为高性能电源转换和电机驱动的理想选择。
V3R6B0201HQC500NAT 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源模块
2. 太阳能逆变器
3. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的电机驱动系统
4. 不间断电源 (UPS)
5. 开关模式电源 (SMPS)
6. LED 照明驱动
7. 电力传输与分配设备
其高压和高效特性使其特别适合需要高可靠性和高性能的场景。
V3R6B0202HQC500NAT, IRFP260N, STW13NM50, FQA50N65S
