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V390CH8S 发布时间 时间:2025/12/26 23:02:47 查看 阅读:17

V390CH8S是一款由威世(Vishay)公司生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的瞬态过电压保护。该器件采用高效半导体技术制造,能够在极短时间内响应瞬态电压脉冲,并将其钳位在安全水平,从而保护下游敏感电子元件免受静电放电(ESD)、雷击感应、电感负载切换等引起的电压浪涌损害。V390CH8S属于单向TVS二极管,具有较高的峰值脉冲功率承受能力,典型值可达600W(按照10/1000μs波形测试),适用于直流或单极性信号线路的保护场景。该器件封装为SMC(DO-214AB),是一种广泛使用的表面贴装封装形式,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产。其主要特点包括低动态电阻、快速响应时间(通常小于1ps)以及高可靠性,能够在严苛环境条件下长期稳定工作。V390CH8S常用于工业控制设备、通信接口、电源模块、消费类电子产品等领域,作为关键的过压防护元件。由于其单向导通特性,该TVS在正常工作状态下不会影响电路运行,仅在出现异常高压时启动保护机制,确保系统安全与数据完整性。

参数

类型:单向TVS二极管
  峰值脉冲功率(Ppk):600W(10/1000μs)
  反向关态电压(VRWM):390V
  击穿电压(VBR):最小433V,最大479V
  钳位电压(VC):632V @ 0.95A
  最大峰值脉冲电流(IPP):0.95A
  漏电流(IR):≤1μA @ VRWM
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:SMC(DO-214AB)
  极性:单向

特性

V390CH8S具备出色的瞬态电压抑制能力,其核心优势在于高击穿电压与稳定的钳位性能。该TVS二极管的反向关态电压为390V,意味着在正常工作条件下,当线路电压低于此值时,器件呈现高阻态,几乎不产生漏电流(典型值小于1μA),从而不会对原电路造成任何干扰。一旦线路中出现超过其击穿阈值的瞬态过电压,例如由开关电感负载、雷击感应或静电放电引发的高压尖峰,V390CH8S会在皮秒级时间内迅速导通,将电压钳制在632V左右的安全水平,有效防止后续电路元件如MOSFET、IC控制器或传感器因过压而损坏。这种极快的响应速度和低动态阻抗特性使其成为高可靠性电源系统和工业通信接口的理想保护方案。
  该器件采用SMC表面贴装封装,具有较大的芯片面积和优良的热传导设计,能够在短时间内吸收高达600W的脉冲能量(依据IEC 61000-4-5标准定义的10/1000μs波形),并快速将热量散发至PCB,避免自身热失效。此外,其宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃)使其适用于极端环境下的应用,如户外通信基站、轨道交通控制系统或高温工业现场设备。V390CH8S还通过了多项国际安规认证,符合RoHS和REACH环保要求,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色制造流程。由于其单向结构设计,特别适合用于正极性供电线路或单向信号路径的保护,例如DC电源输入端、继电器驱动回路或PLC输出模块等场景。总体而言,V390CH8S以其高耐压、强抗冲击能力和紧凑封装,在众多过压保护解决方案中展现出卓越的技术性能和应用灵活性。

应用

V390CH8S广泛应用于需要高电压瞬态保护的电子系统中。典型使用场景包括工业自动化设备中的电源输入保护,用于抵御来自电网波动或电机启停产生的感应电压尖峰;在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,它可有效抑制雷击感应或线路切换引起的浪涌电压,提升系统运行安全性;在通信基础设施领域,如基站电源模块、以太网供电(PoE)接口或RS-485总线电路中,该TVS常被部署在前端防护电路中,防止外部电磁干扰或接地电位差导致的瞬态过压事件。此外,V390CH8S也适用于医疗设备、测试仪器和高端消费电子产品中对可靠性要求较高的直流电源轨保护。由于其600W的脉冲功率处理能力,该器件尤其适合用于中高功率开关电源的次级侧过压箝位,或作为MOV(压敏电阻)的辅助保护元件,构成多级防护体系,延长整体保护电路寿命。在汽车电子外围设备或车载充电系统中,若存在高压直流母线或长线缆连接,也可考虑使用该型号进行补充性浪涌防护。总之,凡是在可能存在高压瞬态威胁且工作电压接近390V DC的应用场合,V390CH8S均能提供稳定可靠的保护功能。

替代型号

SMBJ390A-TAP
  1.5KE390A
  P6KE390A

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V390CH8S参数

  • 标准包装100
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 变阻器,MOV
  • 系列CH
  • 变阻器电压390V
  • 电流 - 浪涌250A
  • 电路数1
  • 最大交流电压250VAC
  • 最大直流电压330VDC
  • 能量7.0J
  • 封装/外壳2-SMD,无引线