V3021S08B是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理和功率开关应用,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和快速开关特性。该MOSFET采用SOT-223封装,适合用于空间受限的应用,如DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备中的功率管理部分。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V(最大)
连续漏极电流(ID):5.9A(@25°C)
导通电阻(RDS(on)):0.044Ω(@VGS=10V)
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-223
V3021S08B具备低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为0.044Ω,确保在中高功率应用中实现更少的热量生成。此外,该器件具有高电流承载能力,额定连续漏极电流为5.9A,在高负载条件下依然能够稳定运行。
该MOSFET采用SOT-223封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合在紧凑型PCB设计中使用。V3021S08B还具备出色的开关性能,能够在高频开关应用中减少开关损耗,适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等场合。
该器件的栅极驱动电压范围宽,支持4.5V至20V的VGS,便于与各种栅极驱动电路兼容。此外,V3021S08B的高可靠性使其适用于工业控制、汽车电子和便携式设备等多种应用场景。
V3021S08B广泛应用于各类电源管理系统中,包括DC-DC降压/升压转换器、负载开关、马达驱动电路、LED驱动器、电池充电管理电路以及电源分配系统。由于其低导通电阻和高效率特性,它也常用于便携式电子设备中的节能开关应用,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块。此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、电机控制和传感器供电系统。
Si2302DS、AO3400A、FDN340AN、FDS6680、BSS138K