时间：2025/5/22 23:59:47
阅读：4
FQB10N20L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种电源管理应用场合，如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其额定电压为 200V，持续漏极电流可达 10A，能够满足中高压应用场景的需求。
该 MOSFET 具有良好的热性能和电气特性，同时封装形式紧凑，便于在有限空间内实现高效能设计。
最大漏源电压：200V
最大漏极电流：10A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
导通电阻（典型值）：350mΩ
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装形式：TO-252
FQB10N20L 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达 200V 的漏源电压；
2. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率；
3. 快速开关性能，可降低开关损耗，提升高频应用表现；
4. 栅极电荷较小，从而降低驱动功耗；
5. 支持高结温操作，适应恶劣环境下的长期稳定运行；
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间；
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
FQB10N20L 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器；
2. 电机驱动电路中的功率控制；
3. 各类负载开关和保护电路；
4. 工业自动化设备中的电子开关；
5. LED 驱动和照明系统；
6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制；
7. 家用电器及消费类电子产品中的功率管理模块。
FQP10N20C
FDP10N20
IRFZ24N
