时间：2025/5/22 22:45:06
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V300C28H150BL是一种高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。它适用于工业控制、消费电子以及通信设备等多种场景。
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：650 V
额定电流：150 A
导通电阻：1.2 mΩ
栅极电荷：95 nC
最大工作结温：175 °C
封装形式：TO-247
V300C28H150BL拥有出色的电气性能和热性能，其低导通电阻有助于减少传导损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，该器件具备快速开关能力，可有效降低开关损耗，并且在高频应用中表现尤为突出。
由于采用了坚固的设计结构，V300C28H150BL能够在恶劣环境下稳定运行，提供更高的安全裕度。
同时，其较高的额定电压和大电流承载能力使得该MOSFET非常适合用于高压、大功率的应用场合。
该功率MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动工具驱动器及家电产品中的电机控制模块。
凭借其优异的性能指标，V300C28H150BL成为设计高效能电力转换系统时的理想选择。
V300C28H120AL, IRFP260N, STP150N06LL
