型号：V23990-P840-A48-PM
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　输出电压：8.40 V
　　初始精度：±0.02%
　　温度系数：2 ppm/°C（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　长期稳定性（年漂移）：5 ppm/年
　　输出电流能力：±10 mA
　　输入电压范围：10.5 V 至 36 V
　　静态电流：1.2 mA（典型值）
　　噪声（0.1 Hz 至 10 Hz）：3 μVpp
　　封装类型：TO-99 金属密封罐装

V23990-P840-A48-PM 具备多项卓越的电气与物理特性，使其成为高精度模拟系统中的理想选择。首先，其核心采用的是埋入式齐纳二极管基准结构，这种结构通过将齐纳结深置于硅片内部，有效避免了表面污染和离子迁移对基准电压的影响，从而显著提升了长期稳定性和可靠性。结合高精度薄膜电阻网络进行分压与补偿，该器件在 -55°C 至 +125°C 的全工作温度范围内实现了仅 2 ppm/°C 的超低温漂系数，远优于普通带隙基准或低压降稳压型参考源。其次，该器件具有极低的输出噪声，特别是在低频段（0.1 Hz 至 10 Hz）下，峰峰值噪声仅为 3 μVpp，这对于驱动高分辨率模数转换器（如 24 位 ADC）至关重要，能够最大限度地减少参考源引入的量化误差，提升系统的信噪比和有效位数（ENOB）。
　　在电源适应性方面，V23990-P840-A48-PM 支持宽范围输入电压（10.5 V 至 36 V），并内置过压保护与反向极性防护电路，增强了在恶劣工业环境下的鲁棒性。其静态电流仅为 1.2 mA，属于低功耗设计范畴，适合对功耗敏感但又要求高性能的便携式精密仪器。输出端具备 ±10 mA 的驱动能力，可以直接驱动多路采样保持电路或多通道数据采集模块，无需额外缓冲放大器，简化了外围电路设计。
　　该器件采用 TO-99 金属密封封装，具备优良的气密性与热传导性能，能够有效抑制湿气侵入和热应力导致的参数漂移。金属外壳还可作为屏蔽层，降低外部电磁干扰对基准电压的影响，提高系统的抗干扰能力。此外，其年漂移指标控制在 5 ppm/年以内，意味着即使在多年连续运行后，输出电压的变化依然可以忽略不计，极大减少了系统校准周期和维护成本。这些综合特性使 V23990-P840-A48-PM 成为高端测试设备、卫星通信系统、地震探测仪器等严苛应用场景中的首选电压参考解决方案。

V23990-P840-A48-PM 主要应用于对电压稳定性、温度漂移和长期可靠性有极高要求的领域。常见用途包括高精度数据采集系统（DAQ）、工业过程控制系统、自动测试设备（ATE）、数字万用表（DMM）、精密电源监测单元以及高端音频与测量仪器。此外，它也广泛用于航空航天传感器接口、地球物理勘探设备和医疗成像系统的模拟前端电路中，作为 ADC 或 DAC 的主参考电压源。其高稳定性和低噪声特性特别适合用于替代传统分立式稳压二极管参考电路，提升整体系统精度与一致性。

V23990-P840-A48-TM