容量：8GB
　　内存类型：HBM2E（High Bandwidth Memory 2 Enhanced）
　　数据速率：3.6 Gbps
　　电压：1.2V
　　封装形式：FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）
　　堆叠层数：8层
　　带宽：约460 GB/s（每个堆栈）
　　接口：AXI 5.0兼容
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C
　　封装尺寸：约7.5mm x 7.5mm
　　制造工艺：先进TSV（Through-Silicon Via）技术

H8BCSOQEOMMR-4EM 是SK Hynix推出的HBM2E内存产品之一，具备出色的带宽性能和能效比。该芯片采用先进的TSV（Through-Silicon Via）技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，极大地缩短了数据传输路径，从而实现了更高的数据传输速率和更低的延迟。与前一代HBM2相比，HBM2E在带宽、容量和功耗方面都有显著提升。
　　H8BCSOQEOMMR-4EM 支持高达3.6 Gbps的数据速率，每个堆栈的带宽可超过460 GB/s，适用于需要大量数据吞吐的高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、深度学习、图形处理（GPU）等应用场景。此外，该芯片的封装尺寸仅为7.5mm x 7.5mm，极大地节省了PCB空间，适用于紧凑型系统设计。
　　该芯片还具备低功耗特性，工作电压为1.2V，支持多种节能模式，适应不同工作负载的需求。其工作温度范围广泛（0°C 至 +95°C），适用于各种工业和高端计算环境。H8BCSOQEOMMR-4EM 还集成了错误检测与纠正（ECC）功能，提高了系统的稳定性和数据完整性。

H8BCSOQEOMMR-4EM 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算系统，如AI加速卡、GPU显卡、FPGA加速器、网络交换芯片、数据中心加速器、自动驾驶计算平台等。其高带宽、低延迟和紧凑封装的特性，使其成为现代高性能计算平台的理想内存解决方案。

H8BCS1CLUMMR-4EM
　　H8BCS1CRUMMR-4EM