时间：2025/6/5 18:47:40
阅读：8
V221J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型MOSFET。该元器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，具有低导通电阻和高效率的特点。它能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
型号：V221J0402C0G500NBT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：70nC
开关频率：高达1MHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+175℃
V221J0402C0G500NBT具有非常低的导通电阻Rds(on)，能够有效减少功率损耗并提高整体效率。
其优化的栅极电荷设计使得开关速度更快，适合高频应用场合。
该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的热性能，确保在高负载情况下仍能保持稳定运行。
此外，其坚固的设计和宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的工业及汽车应用。
V221J0402C0G500NBT主要应用于高效能功率转换系统中，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电动工具及家用电器中的电机驱动
- 新能源汽车的逆变器模块
- 工业自动化设备中的功率控制单元
凭借其卓越的性能，这款MOSFET能够满足不同应用场景对功率和效率的需求。
V221J0402C0G500NAT, V221J0402C0G500NCT
