时间：2025/5/10 9:17:47
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IRF7467TR 是一款高性能的 N 沠?? HEXFET 功率 MOSFET，由 Vishay 公司生产。该器件采用 SO-8 封装形式，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及其他功率管理应用中。IRF7467TR 的设计优化了导通电阻和栅极电荷，从而提高了效率并降低了功耗。
这款 MOSFET 的最大特点是其较低的导通电阻和高开关速度，使其在高频应用中表现出色。同时，SO-8 封装提供了良好的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：29A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
栅极电荷：13nC
总电容：250pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRF7467TR 的主要特性包括低导通电阻 (5.5mΩ)，这有助于减少传导损耗，提高系统效率。
此外，其较小的栅极电荷 (13nC) 和快速开关能力使得它非常适合高频开关应用。该器件还具有出色的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持可靠的性能。
SO-8 封装不仅提供优异的电气性能，还具备良好的机械稳定性和环境适应性，确保在各种苛刻条件下正常工作。
其高漏极电流能力 (29A) 和较高的漏源电压 (60V) 为设计者提供了更大的灵活性，适用于多种功率电子电路。
IRF7467TR 主要应用于需要高效功率转换的领域，如 DC-DC 转换器、开关电源、电池管理系统、电机驱动以及电信设备中的功率管理模块。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，它也常用于负载开关和保护电路。
此外，其紧凑的封装和高可靠性使其成为便携式设备和工业自动化设备的理想选择。
IRF7407TR, IRF7408TR, IRF7410TR
