时间：2025/6/27 15:41:24
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AG1170-S3是一款高性能的射频功率放大器芯片，专为无线通信应用设计。该芯片采用先进的GaAs（砷化镓）工艺制造，具有高增益、高效率和低失真的特点，适用于2G/3G/4G基站、直放站和其他射频通信设备。
该芯片在工作频率范围内提供了卓越的线性度和稳定性，同时支持宽电压供电范围，便于系统集成和使用。
型号：AG1170-S3
工作频率范围：1.8 GHz 至 2.2 GHz
输出功率：37 dBm
增益：16 dB
效率：50%
电源电压：4.8 V 至 6.0 V
静态电流：300 mA
封装形式：QFN-16
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
AG1170-S3采用了高效的功放架构，能够显著降低系统的功耗需求。
它具备出色的线性度，在大信号输入时仍能保持较低的互调失真，从而提高通信质量。
该芯片还集成了匹配网络和偏置电路，简化了外部元件的设计需求。
此外，AG1170-S3具有过温保护和过流保护功能，确保其在复杂环境下的可靠运行。
其紧凑的QFN-16封装形式也使其非常适合空间受限的应用场景。
AG1170-S3广泛应用于各种射频通信领域，包括但不限于：
1. 2G/3G/4G基站收发信机
2. 射频直放站
3. 微波中继通信设备
4. 无线宽带接入点
5. 高效射频测试仪器
由于其卓越的性能表现，AG1170-S3是许多高性能射频系统中的理想选择。
AG1170-S2, AG1170-S4
