V1R8C0402C0G500NBT 是一款高性能的陶瓷电容器,属于多层片式陶瓷电容器(MLCC)系列。该器件适用于高频电路中的耦合、去耦、滤波等应用,具有低ESR(等效串联电阻)、高频率稳定性和优异的温度特性。其结构紧凑,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
容量:4.7pF
额定电压:50V
封装:0402
公差:±5%
介质类型:C0G
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:0.4mm x 0.2mm
ESR:≤10mΩ
Q值:≥5000(在1MHz下测量)
V1R8C0402C0G500NBT 的主要特点是采用C0G介质材料,这种材料使得电容器具有极高的频率稳定性和温度稳定性,容量随温度变化非常小(通常在±30ppm/℃以内)。此外,该型号采用了0402的小型化封装设计,非常适合空间受限的应用场景。其低ESR特性确保了在高频条件下拥有良好的性能表现,同时具备较高的抗振动和抗冲击能力。
由于采用了先进的制造工艺,这款电容器在长期使用中表现出优异的可靠性,并且能够满足RoHS标准要求,环保无铅。它的高Q值和低损耗角正切特性使其成为射频和微波电路的理想选择。
该电容器广泛用于高频电路中的信号耦合与去耦、电源滤波、振荡回路以及匹配网络等领域。具体应用包括但不限于:
- 消费类电子产品中的无线模块(如蓝牙、Wi-Fi)
- 工业自动化设备中的信号调理电路
- 通信设备中的射频前端电路
- 音频设备中的滤波网络
- 医疗设备中的精密信号处理电路