时间：2025/7/2 11:12:00
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V180J0402HQC500NBT是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于各种电源管理场景中。它适用于需要高效能、低损耗的电路设计，例如DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等应用。此型号还具备出色的热性能和电气稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
该器件封装为QFN（Quad Flat No-leads），能够有效提升散热效率并减少寄生电感对高频开关性能的影响。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：13A
导通电阻：0.028Ω
栅极电荷：95nC
开关时间：ton=70ns，toff=40ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
V180J0402HQC500NBT具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：该器件的最大漏源电压为650V，可以承受较高的输入电压，非常适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：其典型导通电阻仅为0.028Ω，在大电流应用中可显著降低功耗。
3. 快速开关性能：由于栅极电荷较小（95nC），开关速度快，从而减少了开关损耗。
4. 强大的散热能力：采用QFN封装形式，底部金属垫片直接接触PCB以提高散热效果。
5. 宽温工作范围：支持从-55℃到+175℃的工作温度范围，适应各种极端环境条件。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在长期使用中的稳定性和耐用性。
V180J0402HQC500NBT适合用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、充电器及工业电源。
2. DC-DC转换器：包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电机驱动：用于家用电器、工业设备或电动车中的无刷直流电机控制。
4. 逆变器：太阳能逆变器和其他类型的电力转换系统。
5. 电池管理系统（BMS）：保护锂电池组免受过充、过放和短路等问题影响。
6. LED驱动：为高亮度LED提供稳定电流源。
V180J0402HQC500NB, IRFZ44N, FDP17N10
