时间：2025/12/26 23:46:03
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V14E275PL1T是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）阵列，专为保护敏感电子电路免受瞬态过电压事件（如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应浪涌）的影响而设计。该器件采用紧凑的DO-218AB封装形式，具备高效的能量吸收能力和极低的钳位电压特性，能够有效防止因外部过电压干扰而导致的系统故障或元器件损坏。V14E275PL1T属于高功率瞬态抑制二极管类别，常用于工业控制、通信设备、电源系统及户外电子装置等对可靠性要求较高的应用场景中。
V14E275PL1T的命名遵循Littelfuse的标准编码规则，其中'V14'代表其击穿电压等级，'E275'表示其峰值脉冲功率为275W，'P'标识其为双向型TVS二极管，适用于交流或双极性信号线路的保护，'L1T'则指明其封装类型与卷带包装规格。该器件在正常工作条件下呈现高阻抗状态，不影响主电路运行；当遭遇瞬态过压时，迅速响应并导通，将多余能量泄放到地，从而将电压钳制在安全范围内，保障后级电路的安全稳定运行。
器件类型：瞬态电压抑制二极管阵列
极性：双向
峰值脉冲功率：275W
反向关态电压（VRWM）：14V
击穿电压（VBR）：15.6V @ 1mA
最大钳位电压（VC）：24.4V @ 7.5A
击穿电压公差：±10%
测试电流（IT）：1mA
最大反向漏电流（IR）：10μA @ 14V
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DO-218AB
安装方式：通孔安装（Through-Hole）
引脚数：2
响应时间：皮秒级
V14E275PL1T具备优异的瞬态过电压防护能力，其核心特性之一是双向导通结构，使其特别适用于交流电源线或双极性信号路径的保护场景。这种双向设计允许器件在正负两个方向上均能有效抑制过电压脉冲，无需考虑极性连接问题，提升了应用灵活性和设计容错性。该TVS二极管采用硅半导体PN结技术制造，具有极快的响应速度，通常在皮秒量级即可完成从高阻态到低阻态的切换，远快于传统的过压保护元件如压敏电阻或气体放电管，能够在瞬态事件发生的第一时间启动保护机制，最大限度减少对下游电路的冲击。
该器件的峰值脉冲功率额定值为275W，依据IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5标准进行测试验证，可承受多次8/20μs电流波形冲击而不发生性能退化，展现出良好的耐久性和长期稳定性。其最大钳位电压仅为24.4V，在承受高达7.5A的峰值脉冲电流时仍能将电压限制在较低水平，确保被保护IC的工作电压窗口内不会出现危险过压。此外，V14E275PL1T的反向漏电流极低（典型值10μA以下），在正常工作状态下几乎不产生额外功耗，也不会对原电路造成负载影响，适合用于低功耗或高精度模拟信号通道的保护。
该TVS二极管的热设计也十分出色，得益于DO-218AB封装较大的金属端子和良好的热传导路径，能够有效散发瞬态过程中产生的热量，避免局部热积累导致的热失控现象。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业、汽车及户外恶劣环境中的电子系统。同时，该器件符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保与可持续发展的需求。
V14E275PL1T广泛应用于各类需要高可靠性过电压保护的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC控制器、传感器接口、现场总线通信端口（如RS-485、CAN总线）的浪涌防护，抵御来自长距离布线引入的感应雷击或开关操作引起的电快速瞬变。在电源管理系统中，该器件可用于直流输入端口的初级保护，特别是在太阳能逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）等设备中，提供对抗电网波动和外部瞬态干扰的第一道防线。
在通信基础设施方面，V14E275PL1T适用于基站设备、光纤收发模块、以太网供电（PoE）端口的ESD和浪涌保护，确保数据传输的完整性与设备的连续运行。由于其双向特性和较高的功率承受能力，该器件也可用于AC电源输入前端的次级保护，配合压敏电阻使用，形成多级防护体系，提升整体系统的电磁兼容性（EMC）性能。
此外，在消费类电子产品中，如智能家电、安防监控系统、楼宇自动化控制面板等，V14E275PL1T可用于外部接口（如电源插口、通信端子）的过压保护，防止用户误接或雷雨天气带来的电气损害。其紧凑的DO-218AB封装便于PCB布局，尤其适合空间受限但需高防护等级的设计场景。
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"P6KE14CA",
"SMAJ14CA",
"TPSMA14CA",
"1.5KE14CA",
"3KP14CA"
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