H5TC1G63EFR-H9A 时间：2025/9/2 8:02:19 阅读：8

H5TC1G63EFR-H9A 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM产品线，主要用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景，如个人电脑、服务器、工业计算机、嵌入式系统等。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备低功耗、高性能和高可靠性等特点。

参数

类型：DRAM
　　容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：16M x 8 / 8M x 16
　　工作电压：1.8V
　　接口类型：x8/x16
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H5TC1G63EFR-H9A 是一款性能优越的DRAM存储器，广泛应用于高性能计算和嵌入式系统中。该芯片采用了先进的CMOS工艺，具有较低的功耗和较高的数据存取速度。其核心电压为1.8V，支持低功耗运行，适合对功耗敏感的设备使用。此外，该DRAM芯片支持x8和x16两种数据宽度配置，提供灵活的系统设计选项。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。
　　在数据传输方面，H5TC1G63EFR-H9A 支持高达166MHz的时钟频率，提供高速的数据访问能力，适用于需要快速响应的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在恶劣条件下也能稳定运行。此外，该芯片具备良好的兼容性，可与多种主控芯片和系统平台无缝集成，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　从制造角度来看，H5TC1G63EFR-H9A 采用了SK Hynix成熟的DRAM制造工艺，确保了产品的高质量和长寿命。该芯片在设计上优化了数据读写延迟，提高了整体系统性能。其高密度存储能力和灵活的配置选项使其成为工业控制、网络设备、通信模块、智能家电等多种应用的理想选择。

应用

H5TC1G63EFR-H9A 主要应用于需要大容量内存和高性能数据处理的场景。常见的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器、通信基站、智能终端设备等。此外，它也可用于个人电脑、笔记本电脑、服务器等计算设备的内存扩展。在工业自动化、智能制造、物联网等领域，该芯片为系统提供了稳定可靠的内存支持。