时间：2025/6/16 22:42:17
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V120K0201C0G250NAT 是一款由 VISHAY 公司生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于高功率和高频开关应用。由于其出色的导通电阻和快速开关特性，它在电源管理、逆变器、电机驱动以及电信设备中得到了广泛应用。
V120K0201C0G250NAT 的设计优化了热性能和电气性能，使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。此外，它还具有较低的栅极电荷和输出电容，从而提升了效率并减少了开关损耗。
型号：V120K0201C0G250NAT
制造商：Vishay
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大连续漏极电流(Id)：20A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：60mΩ
总栅极电荷(Qg)：80nC
工作结温范围：-55℃至+175℃
功耗(PD)：300W
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 1200V，适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 60mΩ，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关速度，得益于其低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss)，可减少开关过程中的能量损耗。
4. 支持高达 20A 的连续漏极电流，具备强大的负载能力。
5. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，保证在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
7. 封装为 TO-247，提供良好的散热性能和机械稳定性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
3. 电动车辆和工业自动化中的电机驱动控制。
4. 高频谐振电路和脉宽调制 (PWM) 控制器。
5. 通信基站电源和其他高可靠性电力电子设备。
6. 照明系统的 LED 驱动器和电子镇流器。
V120K0201C0G250NAH, IRFP460, STW83N120HD
