V120J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动等应用场合。该芯片采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。
这款器件通常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制以及负载开关等领域,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
型号:V120J0402C0G500NBT
类型:N-Channel MOSFET
封装形式:TO-263 (DPAK)
额定电压:120V
额定电流:50A
导通电阻:2mΩ(典型值)
栅极电荷:70nC(最大值)
工作温度范围:-55℃ to +175℃
漏源击穿电压:120V(最小值)
连续漏极电流:50A(@25℃)
峰值脉冲漏极电流:100A
总功耗:20W(@Tc=25℃)
V120J0402C0G500NBT具备以下突出特性:
1. 极低的导通电阻,仅为2mΩ,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用,其栅极电荷小,可降低开关损耗。
3. 采用沟槽工艺制造,提供卓越的热稳定性和可靠性。
4. 支持宽广的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
5. 具备出色的雪崩耐量,增强在异常条件下的鲁棒性。
6. 封装形式为TO-263,易于安装且散热性能优异。
V120J0402C0G500NBT广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电动工具及家电中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车电子系统中的逆变器和电池管理系统。
5. 各类高效节能型功率变换模块设计。
V120J0402C0G500NBH,V120J0402C0G500NBL