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V120J0402C0G500NBT 发布时间 时间:2025/6/5 13:58:32 查看 阅读:9

V120J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动等应用场合。该芯片采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。
  这款器件通常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制以及负载开关等领域,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。

参数

型号:V120J0402C0G500NBT
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:TO-263 (DPAK)
  额定电压:120V
  额定电流:50A
  导通电阻:2mΩ(典型值)
  栅极电荷:70nC(最大值)
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  漏源击穿电压:120V(最小值)
  连续漏极电流:50A(@25℃)
  峰值脉冲漏极电流:100A
  总功耗:20W(@Tc=25℃)

特性

V120J0402C0G500NBT具备以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻,仅为2mΩ,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用,其栅极电荷小,可降低开关损耗。
  3. 采用沟槽工艺制造,提供卓越的热稳定性和可靠性。
  4. 支持宽广的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
  5. 具备出色的雪崩耐量,增强在异常条件下的鲁棒性。
  6. 封装形式为TO-263,易于安装且散热性能优异。

应用

V120J0402C0G500NBT广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
  2. 电动工具及家电中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. 新能源汽车电子系统中的逆变器和电池管理系统。
  5. 各类高效节能型功率变换模块设计。

替代型号

V120J0402C0G500NBH,V120J0402C0G500NBL

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