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V100ZA3P 发布时间 时间:2025/3/28 9:05:16 查看 阅读:9

V100ZA3P是一种高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少能耗。
  这款器件适合在高电流和高频应用场合下使用,其坚固的设计确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用需求。
  3. 内置ESD保护电路,提高了器件的抗静电能力。
  4. 热稳定性强,能够在高温环境下长时间运行。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局和安装。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 其他需要高效功率处理的应用领域。

替代型号

V100ZA3Q, V100ZA4P

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V100ZA3P参数

  • 产品培训模块Metal Oxide Varistors
  • 标准包装1,500
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 变阻器,MOV
  • 系列ZA
  • 变阻器电压110V
  • 电流 - 浪涌1.2kA
  • 电路数1
  • 最大交流电压60VAC
  • 最大直流电压81VDC
  • 能量5.0J
  • 封装/外壳圆盘 7mm
  • 其它名称F3358V100ZA3P-ND