时间：2025/3/28 9:05:16
阅读：26
V100ZA3P是一种高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少能耗。
这款器件适合在高电流和高频应用场合下使用，其坚固的设计确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用需求。
3. 内置ESD保护电路，提高了器件的抗静电能力。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下长时间运行。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和安装。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 其他需要高效功率处理的应用领域。
V100ZA3Q, V100ZA4P
