V100ZA15 时间：2025/12/26 23:18:31 阅读：14

V100ZA15是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装瞬态抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用紧凑的微型DFN-6封装，适用于空间受限的便携式电子设备。V100ZA15集成了两个双向TVS二极管结构，能够同时保护两条信号线路，常用于高速数据接口的过压保护。其低电容特性确保了对信号完整性的最小影响，适合高频信号传输应用。该器件符合RoHS和无卤素要求，适用于现代绿色电子产品制造。V100ZA15广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子中的辅助系统中，提供可靠的电磁兼容性（EMC）保护性能。

参数

产品类型：瞬态抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：15V
　　击穿电压（VBR）：16.7V（最大值）
　　钳位电压（VC）：24.4V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（单次脉冲）
　　峰值脉冲功率（PPP）：30W（8/20μs波形）
　　极性：双向
　　电容值（C）：典型值为17pF（在1MHz下测量）
　　封装形式：DFN-6（2mm × 1.6mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2, 空气放电）
　　响应时间：小于1ns

特性

V100ZA15具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应瞬态过压事件，有效防止下游集成电路因静电或浪涌电压而损坏。其双向二极管结构使其适用于交流信号线或双向数据线的保护，例如I2C、SPI、USB等接口。该器件具有非常低的结电容（典型值仅为17pF），这使得它不会对高速信号造成明显的失真或衰减，从而保证了信号完整性，特别适合用于高频通信接口的防护设计。
　　采用先进的半导体工艺制造，V100ZA15在保持高性能的同时实现了小型化封装，DFN-6封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的热传导性能和机械稳定性。该器件无需外部偏置电路即可正常工作，安装简便，降低了系统设计复杂度。其高可靠性经过严格的环境测试验证，包括高温高湿存储、温度循环和长期老化试验，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
　　此外，V100ZA15符合国际电磁兼容标准，如IEC 61000-4-2（ESD抗扰度）、IEC 61000-4-4（EFT抗扰度）等，满足工业级和消费级产品的EMC设计需求。由于其出色的耐用性和一致性，该器件被广泛用于需要长期可靠运行的应用场景。整体而言，V100ZA15是一款高性能、小尺寸、易于集成的瞬态保护解决方案，适用于现代电子系统中对精度和稳定性要求较高的场合。