类型：SiC MOSFET
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏极电流（ID）@25℃：90A
　　导通电阻（RDS(on)）：6mΩ
　　栅极电压范围：-10V ~ +20V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247-3

WSD90P06DN56 MOSFET的最大优势在于其采用碳化硅材料，相比传统的硅基MOSFET和IGBT，它在多个方面表现出色。首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），仅为6mΩ，这意味着在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高了整体效率。其次，碳化硅材料的宽禁带特性使得该MOSFET具备更高的击穿电压能力和更低的开关损耗，使其在高频工作条件下依然保持良好的性能。
　　此外，WSD90P06DN56的热导率高，能够在高温环境下稳定运行，适用于高功率密度的应用场景。其TO-247-3封装设计也便于散热管理，提高了系统的可靠性。该器件还支持较高的栅极驱动电压范围（-10V至+20V），允许用户根据具体应用需求进行优化配置，从而实现最佳的导通和开关性能。

WSD90P06DN56广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如，在工业电源和UPS（不间断电源）系统中，该器件可以显著提升系统的能效和稳定性。在电动汽车充电系统中，由于其高电流承载能力和低导通损耗，非常适合用于DC-DC转换器和车载充电器模块。此外，在太阳能逆变器和风能变流器等可再生能源系统中，WSD90P06DN56可以有效提高能源转换效率，降低系统散热要求，从而减小整体系统体积和成本。
　　该器件也常用于高功率电机驱动器、服务器电源、5G通信电源以及各类高频率开关电源拓扑结构中（如LLC谐振变换器、相移全桥变换器等）。由于其优异的开关性能和热管理能力，特别适合需要高可靠性和高效率的严苛工作环境。

C3M0060065J, SCT3040KL, SiC MOSFETs with similar ratings