时间：2025/6/14 14:18:10
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V0R8B0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率开关应用设计。该型号属于增强型N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频应用场景中表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：11A
导通电阻：2.3mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：超高速
封装类型：TO-220
V0R8B0402C0G500NBT采用了先进的半导体制造工艺，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（2.3mΩ），可有效降低功耗。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 优秀的热稳定性，能够适应严苛的工作环境。
4. 强大的电流承载能力，支持高达11A的连续漏极电流。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
这款MOSFET芯片适用于多种电子设备和系统：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动器中的功率级控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
5. 各种工业自动化设备中的负载切换。
V0R8B0402C0G500NCT, V0R8B0402C0G500NBS
