DL82550RDE 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于电源管理和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于要求高效能和低损耗的应用场景。
DL82550RDE 的封装形式为 TO-220,这种封装方式提供了良好的散热性能,使其能够承受较高的功率负载。此外,该器件还具备出色的耐热特性和电气稳定性,确保其在恶劣环境下依然保持可靠的性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
脉冲漏极电流:120A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:77nC
总电容:310pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
DL82550RDE 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (3.5mΩ),有效降低了功率损耗,提高了系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用环境,减少了开关损耗。
3. 大电流承载能力 (高达 47A 连续漏极电流),使其能够胜任高功率应用场景。
4. 耐热性能优异,能够在 -55℃ 至 175℃ 的宽温度范围内稳定工作。
5. 封装形式为 TO-220,提供良好的散热性能,便于系统集成。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
DL82550RDE 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于提高转换效率,降低能量损耗。
2. 电机驱动器:控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
3. 工业自动化设备:如变频器、伺服控制器等,用于实现精确的功率控制。
4. 汽车电子系统:如电动助力转向系统 (EPS)、制动系统等,提供高效的功率输出。
5. 可再生能源设备:如太阳能逆变器、风力发电控制器等,提升能源利用效率。
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP066N06A