V07P50P 是一款由 Vishay 公司生产的 P 沟道功率 MOSFET,广泛用于需要高效能功率管理的电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适合于负载开关、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。
类型:P 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):700V
最大漏极电流(Id):500mA(25°C)
导通电阻(Rds(on)):7.5Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):12nC(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220、D2PAK 等
V07P50P MOSFET 的主要特性包括其高击穿电压(700V),能够承受较高的电压应力,适用于高压电源管理应用。其导通电阻较低,有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件的栅极电荷较小,使得开关速度较快,从而降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和耐久性,能够在较高温度环境下稳定工作。其封装形式如 TO-220 和 D2PAK 提供了良好的散热性能,有助于延长器件寿命并提高可靠性。V07P50P 在设计上优化了雪崩能量承受能力,使其在瞬态过压情况下具有更强的鲁棒性,减少了因电压尖峰导致的失效风险。
此外,V07P50P 还具有较低的漏电流,在关闭状态下能够有效防止电流泄漏,适用于对能耗敏感的应用场景。其 P 沟道结构使得在高端开关应用中无需额外的电平转换电路,简化了驱动电路的设计。
V07P50P 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统中。其高耐压特性使其适用于光伏逆变器、工业电源和家电控制电路等高压应用。此外,该 MOSFET 还可用于电机驱动和继电器替代方案,提供更高效的开关控制。在消费类电子产品中,V07P50P 可用于电源管理模块,以实现节能和高效能运行。
SiHP07P50P、STP500P05B、FQP7P06