时间：2025/12/19 10:22:27
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MLG1608B8N2D是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电感器（Multilayer Ceramic Inductor），属于MLG系列，专为高频应用设计。该器件采用先进的多层陶瓷技术制造，具有小型化、高Q值和良好的频率特性，适用于现代便携式电子设备中的射频（RF）电路。其尺寸为1608公制封装（即1.6mm x 0.8mm），符合紧凑型表面贴装需求，广泛应用于智能手机、无线通信模块、蓝牙设备和射频识别（RFID）系统等。该电感器的标称电感值为8.2nH，允许偏差为±0.3nH，在高频下表现出优异的稳定性和低损耗特性。MLG1608B8N2D通过优化内部电极结构和介质材料，实现了在GHz频段内的高效能表现，适合用于阻抗匹配网络、滤波器和谐振电路中。此外，该元件具备良好的温度稳定性与机械强度，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行，并支持回流焊工艺，便于自动化生产装配。由于其高频性能优越且体积小巧，MLG1608B8N2D成为现代高频电路设计中不可或缺的关键无源元件之一。
型号：MLG1608B8N2D
制造商：TDK
封装尺寸：1608 (1.6 x 0.8 mm)
电感值：8.2 nH
电感公差：±0.3 nH
自谐振频率(SRF)：典型值约6.0 GHz
直流电阻(DCR)：最大约350 mΩ
额定电流：约50 mA (基于温升标准)
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
安装类型：表面贴装(SMD)
层数结构：多层陶瓷结构
磁芯材质：非磁性陶瓷介质
Q值：在1 GHz时典型值大于50
MLG1608B8N2D多层陶瓷电感器采用TDK独有的高精度厚膜印刷技术和多层共烧陶瓷工艺，确保了在高频应用下的卓越性能和一致性。其核心优势在于极高的自谐振频率（SRF），通常可达6GHz左右，使其能够在GHz级别的射频电路中有效工作而不会因寄生电容导致性能下降。该器件的Q值在1GHz频率下可超过50，表明其能量损耗极低，特别适用于对效率要求严苛的射频前端模块，如功率放大器输出匹配、低噪声放大器输入调谐以及天线匹配网络。
由于采用非磁性陶瓷材料作为介质，MLG1608B8N2D不受外部磁场干扰影响，具有出色的抗磁干扰能力，同时避免了铁氧体材料可能带来的非线性失真问题。这种特性使得它在高密度PCB布局中更具可靠性，尤其适用于多层板和高集成度模块。此外，该电感器的尺寸仅为1.6mm × 0.8mm，满足当前电子产品小型化、轻薄化的发展趋势，非常适合用于空间受限的移动终端设备。
MLG1608B8N2D还具备良好的温度稳定性和长期可靠性，经过严格的环境测试验证，可在-40°C至+125°C的宽温范围内保持稳定的电气性能。其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构，提供优良的可焊性和耐热冲击性，支持无铅回流焊接工艺，符合RoHS环保标准。整体结构坚固，能够承受多次热循环和机械振动考验，适用于消费类电子、工业控制及汽车电子等多种应用场景。
MLG1608B8N2D主要用于高频射频电路中，典型应用包括智能手机和其他移动通信设备的射频前端模块，用于实现阻抗匹配、信号滤波和LC谐振回路构建。它常被用在功率放大器（PA）输出端的匹配网络中，以提高发射效率并减少信号反射；同时也广泛应用于接收路径中的低噪声放大器（LNA）输入匹配，提升接收灵敏度。此外，该电感器适用于蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等短距离无线通信模块的射频匹配电路，保障信号传输质量。
在无线局域网（WLAN）、5G毫米波前端、GPS导航系统和射频识别（RFID）标签读写器中，MLG1608B8N2D凭借其高Q值和高频特性，能够有效提升系统的频率选择性和整体性能。其小型化设计也使其成为可穿戴设备、TWS耳机和物联网传感器节点的理想选择，帮助工程师在有限空间内实现高性能射频设计。此外，该器件还可用于高速数字电路中的去耦和噪声抑制，尤其是在时钟线路或高速数据通道附近作为高频扼流圈使用，防止高频噪声传播。
LQG15WN8N2C02
LL1608T-R8N2-WDT
PLF1608T-8N2B
