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V07P420P 发布时间 时间:2025/12/26 22:11:51 查看 阅读:6

V07P420P是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌等瞬态过电压事件的损害而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备快速响应时间和低钳位电压特性,能够在纳秒级时间内将瞬态高压引导至地,从而有效保护下游电路。V07P420P属于双向TVS二极管,适用于交流或正负脉冲信号线路的保护,广泛应用于工业控制、通信接口、消费类电子产品以及汽车电子等领域。其封装形式通常为SMA(DO-214AC),具有较小的占板面积,适合高密度PCB布局。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造要求。

参数

器件型号:V07P420P
  制造商:STMicroelectronics
  产品类别:TVS二极管
  通道数:1
  极性:双向
  击穿电压(V_BR):7V(最小值)
  工作峰值反向电压(V_RWM):6V
  最大箝位电压(V_C):14.5V(在I_PP = 1A时)
  峰值脉冲电流(I_PP):20A(最大值)
  峰值脉冲功率(P_PM):300W(10/1000μs波形)
  响应时间(t_RESP):<1ns
  封装类型:SMA(DO-214AC)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

V07P420P的核心特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内响应高达300W的脉冲功率冲击。该器件基于雪崩击穿原理工作,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,几乎不影响原电路信号传输;当线路中出现超过其击穿电压的瞬态过压时,器件迅速进入低阻态,将多余能量泄放到地,从而将电压钳制在安全范围内,防止后级IC受到损坏。其双向结构使其特别适用于处理正负极性瞬态干扰,如双极性信号线、交流电源线或H桥驱动电路中的保护场景。
  另一个显著特点是其低动态电阻和低钳位电压特性。由于采用了优化的半导体结结构,V07P420P在导通状态下能维持较低的残余电压(即钳位电压),这有助于减少对被保护电路的应力影响,提高系统可靠性。例如,在1A的峰值脉冲电流下,其钳位电压仅为14.5V,这对于保护工作电压在5V左右的数字逻辑电路(如MCU、FPGA、传感器接口等)尤为关键。
  此外,V07P420P具备出色的循环耐久性和长期稳定性,能够承受多次重复性的ESD冲击(如IEC 61000-4-2 Level 4 ±8kV空气放电和±15kV接触放电),而不会发生性能退化或失效。其紧凑的SMA封装不仅节省空间,还具备良好的热传导性能,有助于在大能量冲击后快速散热,提升整体鲁棒性。同时,该器件无老化现象,无需维护,适合用于长期运行的关键系统中。

应用

V07P420P常用于各类需要高等级电磁兼容(EMC)防护的电子系统中。典型应用包括工业自动化设备中的信号端口保护,如RS-232、RS-485通信接口,这些总线容易受到长距离布线引入的感应雷击或地电位差引起的瞬态电压冲击。在消费类电子产品中,它可用于USB端口、音频接口、按键输入等易受人体静电影响的部位,提供可靠的ESD防护。在汽车电子领域,尽管其主要定位并非车规级,但在部分车载辅助系统(如信息娱乐系统的外部接口)中也可作为次级保护器件使用。
  此外,V07P420P适用于传感器信号调理电路的前端保护,尤其是在恶劣电磁环境中工作的压力、温度或位置传感器,可防止因瞬态干扰导致的数据错误或芯片损坏。在电源管理单元中,它可以用于低压直流电源轨(如+5V、+3.3V)的辅助过压保护,配合保险丝或自恢复PTC实现完整的电源安全保障方案。由于其快速响应和低漏电流特性,也适合用于高速数据线路的保护,不会引入明显的信号失真或延迟,保障通信质量。

替代型号

SM712-01BT1G
  SP3012-06UTG
  TPD1E10B06

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V07P420P参数

  • 标准包装1,500
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 变阻器,MOV
  • 系列Ultra MOV
  • 变阻器电压748V
  • 电流 - 浪涌1.2kA
  • 电路数1
  • 最大交流电压420VAC
  • 最大直流电压560VDC
  • 能量40J
  • 封装/外壳圆盘 7mm