V-113-1C4 时间：2025/12/27 2:22:58 阅读：18

V-113-1C4是一款由Vishay Semiconductors生产的红外发射二极管（Infrared Emitting Diode），专为高效率红外光发射应用设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装，适用于需要小型化和高性能红外光源的电子系统。V-113-1C4工作在近红外波段，典型发射波长为940nm，具备良好的辐射强度和快速的开关响应特性，使其成为远程控制、红外通信、光电传感等领域的理想选择。其封装材料具有优异的抗紫外线和耐热性能，确保在各种环境条件下长期稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造要求。

参数

类型：红外发射二极管
　　波长类型：峰值
　　峰值波长：940 nm
　　辐射强度：50 mW/sr（典型值）
　　正向电压：1.35 V（典型值）
　　反向电压：5 V
　　最大正向电流：100 mA
　　脉冲正向电流：1 A
　　反向电流：100 μA
　　视角：±20°
　　封装形式：表面贴装型
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C

特性

V-113-1C4红外发射二极管具备出色的光电转换效率，能够在较低的驱动电流下实现高强度的红外光输出，从而降低系统功耗并提升能效。其峰值波长为940nm，处于人眼不可见光谱范围内，适合用于隐蔽式信号传输与感应系统。该器件的辐射强度典型值达到50mW/sr，在标准测试条件下表现出稳定的发光性能，适用于远距离遥控和数据通信场景。
　　该器件采用表面贴装封装技术，具有较小的体积和良好的机械稳定性，便于自动化贴片生产，提高组装效率并节省PCB空间。封装材料选用高透光率环氧树脂，有效提升光输出效率，并具备优异的防潮、抗紫外线老化能力，确保在户外或高温高湿环境下长期可靠工作。其±20°的视角设计可在保证一定覆盖范围的同时集中光束能量，增强接收端信号识别能力。
　　V-113-1C4具备快速的上升和下降时间，通常在几十纳秒量级，支持高频脉冲调制操作，适用于红外载波通信协议如IrDA、NEC码等。这种高速响应特性使得它广泛应用于电视、空调、音响等家电遥控器中。此外，该器件能够承受高达1A的脉冲正向电流，允许在短时高峰值功率下工作，进一步提升瞬时光输出强度，改善信噪比。
　　器件的工作温度范围宽达-40°C至+100°C，适用于工业级和消费级多种应用场景。其低正向电压降（典型1.35V）有助于兼容低压供电系统，如3.3V或5V逻辑电路，减少额外限流元件需求。整体设计注重可靠性与兼容性，是现代红外系统的优选光源之一。