类型：功率MOSFET模块
　　封装：双列直插式（DIP）
　　配置：双MOSFET（两个独立通道）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：5A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：12nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　安装方式：通孔
　　功耗（Pd）：3W
　　技术：沟槽式MOSFET

V-105-1C24具有多项优异的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效率电源系统的需求。该模块的两个MOSFET通道相互独立，可以灵活配置为同步整流器、半桥或全桥拓扑结构。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。沟槽式MOSFET技术使得器件在高频工作下仍能保持较低的开关损耗，从而提高系统的响应速度和稳定性。
　　此外，V-105-1C24采用DIP封装形式，具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化装配流程。模块内部的高热导率材料确保了良好的散热性能，即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度。该器件还具备良好的抗静电能力和过热保护能力，增强了系统在严苛环境下的稳定性和耐用性。
　　其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种工业环境下的应用，包括高温和低温条件下的电源转换系统。该模块符合RoHS环保标准，适合用于绿色电子产品的设计和制造。

V-105-1C24广泛应用于各种高功率和高效率的电源系统中。其典型应用包括AC/DC和DC/DC电源转换器、工业自动化设备中的电机驱动电路、不间断电源（UPS）系统、电池管理系统以及光伏逆变器等可再生能源系统。由于其具备高电流能力和良好的热性能，V-105-1C24也非常适合用于需要紧凑设计和高可靠性的嵌入式电源系统，如通信设备、服务器电源和消费类高端电子产品。
　　在汽车电子领域，该模块可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载逆变器等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为严苛工业环境下的理想选择。此外，V-105-1C24也适用于各种功率因数校正（PFC）电路和同步整流器设计，帮助提高整体电源转换效率，降低能耗。

V-105-1C24的替代型号包括Vishay的V-105-1C24A、V-105-1C24S以及ON Semiconductor的NTD10N10CLT4G等型号。这些替代型号在性能和封装上与V-105-1C24相近，可根据具体应用需求进行选型。