类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-323 (SC-76)
　　极性：单二极管
　　最大重复反向电压 (VRRM)：20V
　　最大直流反向电压 (VR)：20V
　　平均整流电流 (IO)：200mA
　　峰值正向浪涌电流 (IFSM)：0.5A
　　最大正向电压 (VF)：0.5V @ 10mA, 0.65V @ 50mA
　　最大反向漏电流 (IR)：0.1μA @ 10V, 100μA @ 20V
　　反向恢复时间 (trr)：典型值5ns
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 (Tstg)：-55°C 至 +150°C

UZM22FB的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属（通常是铂或钛）与N型半导体材料之间的接触形成势垒，从而实现了比传统硅PN结二极管更低的正向导通电压。这一特性使其在低电压供电系统中尤为重要，例如电池供电设备、USB接口电源路径管理以及低压DC-DC转换器中，能够显著减少能量损耗，提高电源转换效率。此外，由于没有少数载流子的储存效应，肖特基二极管的反向恢复时间极短，通常在几纳秒以内，这使得UZM22FB在高频开关电路中表现出优异的动态响应能力，避免了因反向恢复电荷引起的开关损耗和电磁干扰问题，提升了系统的稳定性和可靠性。
　　另一个关键特性是其紧凑的SOD-323封装，尺寸仅为约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产工艺。尽管体积小巧，但该器件仍具备良好的热性能和机械强度，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级和汽车级应用的需求。同时，UZM22FB具有较低的反向漏电流，在常温下仅为0.1μA@10V，即使在高温条件下也能保持在可接受范围内，有助于降低静态功耗。需要注意的是，肖特基二极管的反向击穿电压相对较低，且漏电流随温度升高而指数增长，因此在高温或高压环境中应谨慎使用，并考虑适当的降额设计。此外，该器件对静电敏感，操作时需遵循ESD防护规范。综上所述，UZM22FB凭借其低VF、快恢复、小尺寸和高可靠性，成为众多现代电子设计中的理想选择。

UZM22FB因其优异的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多种电子系统中。首先，在电源管理领域，它常用于低压直流-直流转换器中的续流二极管或箝位二极管，特别是在同步整流不适用的小功率场景下，能够有效防止电感反电动势损坏开关元件，并提升转换效率。其次，在电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，UZM22FB可用于电源路径切换、反向极性保护和过压钳位，保障系统安全运行。此外，在信号处理电路中，该二极管可用于高频检波、信号解调和限幅电路，得益于其快速响应特性，可在射频前端或通信模块中实现高效的信号整流功能。在接口保护方面，UZM22FB也常用于USB、HDMI等高速数据线路上的瞬态电压抑制辅助电路，配合TVS管进行浪涌防护。工业控制和消费类电子产品中的微控制器I/O端口保护、继电器驱动电路中的反激电压吸收也是其典型应用场景。由于其具备良好的温度适应性和稳定性，UZM22FB还可用于汽车电子系统中的传感器模块、LED照明驱动和车载信息娱乐设备中。总之，凡是需要高效、快速、小型化整流或保护功能的场合，UZM22FB都能发挥重要作用。

RB751S-40,RB751V-40,PMES201T,1SS356,MTD20E,MMD20E